Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с

Компания Samsung объявила о том, что разрабатывает первую в отрасли микросхему памяти HBM3E 12H объёмом 36 ГБ. 

Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с

Так как это память HBM, корректнее говорить, что это не микросхема, а стек. В данном случае состоящий из 12 слоёв, что в итоге даёт самую большую в отрасли ёмкость среди памяти HBM.  

Пропускная способность новой памяти Samsung впечатляет — 1,28 ТБ/с! По сравнению со стеком HBM3 8H она выросла на 50%, как и ёмкость. 

Samsung в своём пресс-релизе акцентирует внимание на рынок искусственного интеллекта, так как ускорители для ИИ обычно оснащаются именно памятью HBM, и для них очень важен как объём этой памяти, так и пропускная способность.  

Также Samsung рассказала об усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей плёнке (TC NCF), которая позволила создать 12-слойный стек такой же высоты, как и восьмислойный. Кроме того, эта плёнка улучшает тепловые свойства памяти. 

Массовое производство новой памяти стартует в течение текущего полугодия. 

Загрузить еще…
Tags: Samsung